職位描述
該職位還未進行加V認證,請仔細了解后再進行投遞!
核心職責:
- 主導MOSFET/IGBT器件的 Design Rule檢查、Layout設計 及 產品手冊編制;
- 設計 NPI/DOE實驗方案,完成晶圓級良率優化(目標:單批次良率提升≥2%);
- 負責量產異常分析(EFA/PFA)及 低良率根因追溯(需輸出8D報告);
- 解決 inline缺陷問題(如光刻對準偏差、金屬層短路),協同設備/工藝團隊改進;
- 維護產品全生命周期良率(當前6英寸線良率98.5%,目標2025年12英寸線≥99%)。
- 本科及以上學歷,微電子/電子專業, 熟悉半導體物理及分立器件工藝;
- 2年以上 半導體工藝整合經驗,有MOSFET/IGBT量產項目者優先(需提供良率提升案例);
- CET-4及以上,能熟練閱讀ASML/Tel設備手冊及撰寫英文技術文檔;
- 具備 跨部門協作能力(需協調設計、設備、生產三方資源)。
- 掌握TCAD仿真(Sentaurus)或熟悉 SiC器件工藝;
- 有車規級產品認證(IATF 16949)經驗;
- 熟悉6σ方法論(通過綠帶認證優先)。
- 國有資本控股(重慶產業投資集團51%持股),享受政策補貼(12英寸產線設備補貼30%);
- 聚焦 功率半導體國產替代(比亞迪核心供應商),12英寸SiC產線2025年量產;
- 職業發展雙通道:技術專家(年薪50萬 )或管理序列(PIE經理年薪35萬 )。
工作地點
地址:重慶北碚區北碚區重慶萬國半導體科技有限公司-西門


職位發布者
謝女士/..HR
四川百益人力資源管理有限公司

-
專業服務
-
51-99人
-
私營·民營企業
-
四川省武侯區武侯大道順江段77號